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較早公告: 在現(xiàn)代工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域,流體控制技術(shù)扮演著至關(guān)重要的角色。而在眾多流體控制設(shè)備中,ATOS插裝閥以其設(shè)計(jì)和性能,成為了眾多工程師和技術(shù)人員。本文將帶您深入了解它的相關(guān)知識(shí),揭示其在流體控制領(lǐng)域的重要作用。一、簡(jiǎn)介ATOS插裝閥是一種廣泛應(yīng)用于液壓系統(tǒng)中的閥門,它通過(guò)插裝的方式安裝在液壓系統(tǒng)的管路或集成塊上,實(shí)現(xiàn)對(duì)流體的精確控制。ATOS作為液壓元件制造商,其插裝閥產(chǎn)品以高品質(zhì)、高性能和高可靠性著稱,廣泛應(yīng)用于工程機(jī)械、農(nóng)業(yè)機(jī)械、冶金設(shè)備、船舶制造等領(lǐng)域。二、工作原理與特點(diǎn)ATOS插裝閥的工作原理基
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常用的賀德克壓力傳感器選用N型硅片作為基片
點(diǎn)擊次數(shù):871 更新時(shí)間:2020-06-26
   賀德克壓力傳感器可分為兩類,一類是根據(jù)半導(dǎo)體PN結(jié)(或肖特基結(jié))在應(yīng)力作用下,I-υ特性發(fā)生變化的原理制成的各種壓敏二極管或晶體管。這種壓力敏感元件的性能很不穩(wěn)定,未得到很大的發(fā)展。另一類是根據(jù)半導(dǎo)體壓阻效應(yīng)構(gòu)成的傳感器,這是賀德克壓力傳感器的主要品種。早期大多是將半導(dǎo)體應(yīng)變片粘貼在彈性元件上,制成各種應(yīng)力和應(yīng)變的測(cè)量?jī)x器。60年代,隨著半導(dǎo)體集成電路技術(shù)的發(fā)展,出現(xiàn)了由擴(kuò)散電阻作為壓阻元件的賀德克壓力傳感器。這種壓力傳感器結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單可靠,沒(méi)有相對(duì)運(yùn)動(dòng)部件,傳感器的壓力敏感元件和彈性元件合為一體,免除了機(jī)械滯后和蠕變,提高了傳感器的性能。
  半導(dǎo)體具有一種與外力有關(guān)的特性,即電阻率(以符號(hào)ρ表示)隨所承受的應(yīng)力而改變,稱為壓阻效應(yīng)。單位應(yīng)力作用下所產(chǎn)生的電阻率的相對(duì)變化,稱為壓阻系數(shù),以符號(hào)π表示。以數(shù)學(xué)式表示為墹ρ/ρ=πσ
  式中σ表示應(yīng)力。半導(dǎo)體電阻承受應(yīng)力時(shí)所產(chǎn)生的電阻值的變化(墹R/R),主要由電阻率的變化所決定,所以上述壓阻效應(yīng)的表達(dá)式也可寫成墹R/R=πσ
  在外力作用下,半導(dǎo)體晶體中產(chǎn)生一定的應(yīng)力(σ)和應(yīng)變(ε),它們之間的相互關(guān)系,由材料的楊氏模量(Y)決定,即Y=σ/ε
  若以半導(dǎo)體所承受的應(yīng)變來(lái)表示壓阻效應(yīng),則是墹R/R=Gε
  G稱為壓力傳感器的靈敏因子,它表示在單位應(yīng)變下所產(chǎn)生的電阻值的相對(duì)變化。
  壓阻系數(shù)或靈敏因子是半導(dǎo)體壓阻效應(yīng)的基本物理參數(shù)。它們之間的關(guān)系正如應(yīng)力與應(yīng)變之間的關(guān)系一樣,由材料的楊氏模量決定,即G=πY
  由于半導(dǎo)體晶體在彈性上各向異性,楊氏模量和壓阻系數(shù)隨晶向而改變。半導(dǎo)體壓阻效應(yīng)的大小,還與半導(dǎo)體的電阻率密切有關(guān),電阻率越低靈敏因子的數(shù)值越小。擴(kuò)散電阻的壓阻效應(yīng)由擴(kuò)散電阻的晶體取向和雜質(zhì)濃度決定。雜質(zhì)濃度主要是指擴(kuò)散層的表面雜質(zhì)濃度。
  常用的賀德克壓力傳感器選用N型硅片作為基片。先把硅片制成一定幾何形狀的彈性受力部件,在此硅片的受力部位,沿不同的晶向制作四個(gè)P型擴(kuò)散電阻,然后用這四個(gè)電阻構(gòu)成四臂惠斯登電橋,在外力作用下電阻值的變化就變成電信號(hào)輸出。這個(gè)具有壓力效應(yīng)的惠斯登電橋是壓力傳感器的心臟,通常稱作壓阻電橋(圖1)。壓阻電橋的特點(diǎn)是:電橋四臂的電阻值相等(均為R0);電橋相鄰臂的壓阻效應(yīng)數(shù)值相等、符號(hào)相反;電橋四臂的電阻溫度系數(shù)相同,又始終處于同一溫度下。圖中R0為室溫下無(wú)應(yīng)力時(shí)的電阻值;墹RT為溫度變化時(shí)由電阻溫度系數(shù)(α)所引起的變化;墹Rδ為承受應(yīng)變(ε)時(shí)引起的電阻值變化。
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